イベント｜九州大学応用力学研究所

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2016 年度

イベント開催のご案内

[日　時]: ２０１７年１月２７日（金）　１３時００分～１７時００分
[場　所]: 九州大学筑紫キャンパス　応用力学研究所６階多目的研究交流室（W601）　＊MAP
[研究代表者]: 田中　　悟（九大院工）
[所内世話人]: 寒川　義裕（九大応力研）
[主　催]: 九州大学応用力学研究所
　
13:00 ～ 13:05: はじめに
田中悟（九大院工）
13:05 ～ 13:35: 二次元物質の原子空孔の物性
影島愽之教授（島根大学院工）
13:35 ～ 14:05: グラフェンのドメイン構造のLEEM観察
日比野浩樹教授（関西学院大理工）
14:05 ～ 14:20: 休　憩
14:20 ～ 14:50: 電荷ドーピングにより反転するカーボンナノチューブ光吸収の偏光依存性
佐々木健一氏（NTT物性科学基礎研究所）
14:50 ～ 15:20: 超高真空中におけるSiC(0001)上のSi4O5N3層の作製
水野清義教授（九大院総理工）
15:20 ～ 15:35: 休　憩
15:35 ～ 16:05: SiC上グラフェンの課題と界面制御
乗松航助教（名古屋大院工）
16:05 ～ 16:35: SiCファセットに形成したナノリップルグラフェンの局所電子分光
小森文夫教授（東大物性研）
16:35 ～ 17:00: SiC(0001)上のSn原子層の形成
林真吾（D2）・田中悟教授（九大院工）
18:00 ～: 意見交換会

　

　