Prof.
柿本浩一(Koichi Kakimoto)
〒816-8580 福岡県春日市春日公園6-1
九州大学 応用力学研究所
基礎力学部門 ナノメカニックス分野
Tel: +81 92 583 7741
Fax: +81 92 583 7743
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1.取得学位:工学博士(東京大学)
2.専門分野:半導体結晶工学,結晶成長学
3.研究のキーワード:ナノメカニックス,結晶成長,高純度結晶成長、大規模数値シミュレーション
4.研究活動 :
半導体の結晶成長や数値シミュレーションをキーワードとして,電子デバイスや光デバイス用結晶の成長に関わる研究を主に行っている.特に“マクロからミクロまで”をスローガンとし,原子レベルの現象と連続体としての現象の相関についての研究を行っている.主な研究テーマは以下のとおりである.
1)高輝度X線回折によるシリコン固液界面のダイナミックス,
2)3次元非定常数値計算によるシリコン単結晶育成時の融液流動解析,
3)分子動力学法によるシリコン中の不純物の運動解析,
4)分子動力学法によるシリコンの物性の解析,
5)中性子散乱法による半導体融液の構造解析,
6)レーザラマン分光法による半導体超格子構造の解析,
7)クロライドCVD法によるInGaAs/GaAsへテロ構造の結晶成長
8)DLTS法を用いたシリコン酸化膜界面の局在準位の解析,
9)シリコン/GaPワイドギャップエミッター素子の界面の応力解析,
10)EBIC法によるGaPのDark Lineの解析
5.社会連携 : 産学との共同研究として4件、共同調査として1件行った.
1)日本学術振興会未来開拓学術研究プロジェクト”シリコンの固液界面のダイナミックス”(平成8年度,
9年度,10年度、11年度、12年度)
2)宇宙環境利用推進センター”低消費電力半導体素子用高品質単結晶育成技術に関する
シミュレーション”(平成9年度,10年度、11年度)
3)日本宇宙フォーラム”半導体結晶育成時のゼーベック効果の影響”(平成9年度,10年度、11年度)
4)日本宇宙フォーラム”シリコン固液界面における非平衡現象解析”(平成11年度、12年度)
5)物質・材料研究機構 物質研究所“欠陥制御LN・LTを用いた光通信用デバイス作成技術”
(平成13年度〜)
6.研究業績:毎年国際誌に4から7件程度研究成果を発表している。
詳細は教員データベースなどをご覧ください。
7.科研費等取得状況:
・科研費:
1) 電子デバイス用バルク単結晶の欠陥形成過程の検討,平成9年度,基盤研究C(2),代表 3,300千円
他3件
・その他の外部資金
1) 日本学術振興会未来開拓学術研究プロジェクト”シリコンの固液界面のダイナミックス”120,580千円
2) 宇宙環境利用推進センター”低消費電力半導体素子用高品質単結晶育成技術に関する
シミュレーション”7,800千円
3) 日本宇宙フォーラム”半導体結晶育成時のゼーベック効果の影響”, 21,000千円
4) 日本宇宙フォーラム”シリコン固液界面における非平衡現象解析”, 500千円
8.所属学会 : 応用物理学会,日本結晶成長学会,化学工学会,マイクログラビテイー応用学会,
米国結晶成長学会,米国電気化学会
9.教育活動 : 工学府航空宇宙工学専攻において大学院教育を行っている.
10.社会貢献 :
日本結晶成長学会編集委員 日本学術振興会145委員会E分科会幹事 2nd
Workshop for modeling
of crystal growth Journal of Crystal Growth Special Issue Editor Organizing
committee(1年)
Journal of Crystal Growth Special Issue Editor (1年) 日本学術振興会145委員会委員
日本学術振興会161委員会委員 Third Workshop for modeling of crystal
growth,Scientific
committee 日本結晶成長学会理事 日本結晶成長学会バルク成長分科会幹事長
11.共同研究,受託研究など :
・学外
1) 日本学術振興会未来開拓学術研究プロジェクト”シリコンの固液界面のダイナミックス”
(平成8年度,9年度,10年度、11年度、12年度)
2) 宇宙環境利用推進センター”低消費電力半導体素子用高品質単結晶育成技術に関するシミュレーション”
(平成9年度,10年度、11年度)
3) 日本宇宙フォーラム”半導体結晶育成時のゼーベック効果の影響”(平成9年度,10年度、11年度)
4) 日本宇宙フォーラム”シリコン固液界面における非平衡現象解析”(平成11年度、12年度)
5) 物質・材料研究機構 物質研究所“欠陥制御LN・LTを用いた光通信用デバイス作成技術”
(平成13年度〜)
12.担当授業科目数:1
13.受賞歴 :
a. 日本結晶成長学会論文賞(1989)「Direct observation by X-ray radiography
of convection of molten silicon」
b. 化学工学会熱物質流体工学賞(1996)「磁場印加Cz法における酸素の移動現象」
14.パーソナリティ紹介 :
・研究教育に対するモットー:真実の追究、自主と責任、全力投球
・その他:バイオリン演奏(42年)、鉄道模型(N,HO、43年)、ジョギング(10年)
K. Kakimoto