第４回九大グラフェン研究会
（主催：応用力学研究所）
| 日時： | 平成24年1月27日（金） 13：00～17：35 |
| 場所： | 九州大学大学院工学研究院 伊都キャンパス・ウエスト２号館９２１号室 |
| 所内世話人：寒川義裕 |
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| 1. | 13:00〜13:05 |
| はじめに 九大院工 田中 悟 | |
| 2. | 13:05〜13:35（30分） |
| 九大院工 田中 悟
「エピタキシャルグラフェンナノ構造の形成と物性」 |
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| 3. | 13:35〜14:15（４５分＝発表３０分＋質問１０分） |
| NTT 基礎研 日比野 浩樹 「エピタキシャルグラフェン成長の基板面方位依存性」 |
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| 4. | 14:15〜15:00（４５分） |
| 九大先導研 吾郷浩樹 「ヘテロエピタキシャルCu 膜上に成長した単層グラフェンのドメイン構造と物性」 |
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| 休憩 15:00〜15:20 | |
| 5. | 15:20〜16:05（４５分） |
| 物質・材料研究機構 WPI-MANA 若林 克法 「グラフェンの電子物性におけるナノスケール・エッジ効果」 |
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| 6. | 16:05〜16:50（４５分） |
| 東大物性研 中辻 寛 「微傾斜SiC 上に成長したグラフェンのπ電子状態と異方性」 |
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| 7. | 16:50〜17:35（４５分） |
| 福井大学院工 橋本 明弘 「転写グラフェンにおけるエッジ及び欠陥構造のラマン散乱分光評価」 |
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