The 145th Committee - Activity

第178回研究会

• テーマ：窒化物半導体結晶 －真の高品質化とは何か？ －
  
• 日　時：2023年1月18日（水）13:30～17:45
• 場　所：明治大学グローバルフロント1階 多目的会議室
  （新型コロナウィルスの感染状況によってオンライン開催に変更する場合あり）
• 世話人：上田 修（明治大）、酒井 朗（大阪大）
• プログラム
• 13:10～13:30　委員総会
• 13:30～13:35　開会の挨拶
  　　　　　　　　　柿本浩一（東北大）
• 13:35～13:40　はじめに
  　　　　　　　　　酒井 朗（大阪大）
• 13:40～14:25　AlN厚膜結晶（仮題）
  　　　　　　　　　三宅 秀人（三重大）
• 14:25～15:10　GaNバルク結晶（仮題）　
  　　　　　　　　　森 勇介（大阪大）
• 15:10～15:25　休　憩
• 15:25～16:10　HVPE GaNウェハ（仮題）
  　　　　　　　　　藤倉 序章（住友化学）
• 16:10～16:55　GaN結晶転位リーク特性評価（仮題）
  　　　　　　　　　濱地 威明（デンソー）
• 16:55～17:40　GaNデバイス欠陥評価（仮題）
  　　　　　　　　　成田 哲生（豊田中研）
• 17:40～17:45　まとめ
  　　　　　　　　　上田 修（明治大）