2020年7月30日(木)－31日(金) オンライン講演会
プログラム
基調講演 （60分）
| 松本 功 | 2020/8/1～：名古屋大学未来材料システム研究所 ～2020/6/30：大陽日酸株式会社 |
化合物半導体研究：回想と展望 |
チュートリアル講演 （50分）
| 岩谷素顕1、佐藤恒輔1, 2, 竹内哲也1、上山智1、赤﨑勇1, 3、三宅秀人4 | 1名城大学理工学部，2旭化成株式会社，3名古屋大学赤﨑記念研究センター，4三重大学大学院地域イノベーション研究科 | 高品質AlGaN結晶の作製とデバイス応用 |
| 中村孝夫 | 東京大学 生産技術研究所 | ホモエピタキシャル成長によるワイドギャップ半導体デバイス開拓 |
| 田中敦之1,2，川崎晟也3，渡邉浩崇1，原田俊太1，花田賢志4，出来真斗5，新田州吾1， 本田善央1，宇治原徹1，天野浩1,2,5,6 | 1名古屋大学 未来材料・システム研究所，2物質材料研究機構，3名古屋大学 大学院工学研究科，4あいちシンクロトロン光センター，5名古屋大学 VBL，6名古屋大学 赤崎記念研究センター | 窒化ガリウム中転位観察の進展 |
招待講演 （30分）
| 市川 修平1, 船戸 充2, 川上養一2, 藤原康文1 |
1大阪大学 大学院工学研究科, 2京都大学 大学院工学研究科 | 窒化物半導体成長におけるステップバンチング機構の制御と応用 |
| 上杉謙次郎1, Ding Wang 2, 正直花奈子3, 窪谷茂幸1, 三宅秀人2,3 |
1三重大学地域創生戦略企画室, 2三重大学大学院地域イノベーション学研究科, 3三重大学大学院工学研究科 | 低転位密度AlNテンプレートを用いた深紫外LEDの開発 |
| 富永依里子 | 広島大学 大学院先進理工系科 | 低温成長Bi系III-V族半導体の結晶性とデバイス応用 |
| 石川史太郎 | 愛媛大学 大学院理工研究科 | 希釈窒素・ビスマスナノワイヤの分子線エピタキシャル成長 |
| 今西正幸1，村上航介1，宇佐美茂佳1，吉村政志1,2，森勇介1 | 1大阪大学大学院工学系研究科，2大阪大学レーザー科学研究所 | Naフラックスポイントシード法による低転位・大口径GaN結晶成長 |
| 久志本真希 | 名古屋大学 大学院工学系研究科 | 次世代深紫外光源に向けた透明導電膜とUV−C LD |
Program at a glance (Tentative)
| 7月30日(木) | 7月31日(金) |
|---|---|
| 9:30～10:20 [チュートリアル講演] 田中 敦之 (Fr-T1) | |
| 休憩 | |
| 10:30～12:00 ショートプレゼンテーション | |
| 昼食 | |
| 13:00～13:10 Opening session |
13:00～14:20 ポスターセッション |
| 13:10～14:10 [基調講演] 松本 功 (Th-PL1) |
休憩 |
| 14:10～15:00 [チュートリアル講演] 岩谷 素顕 (Th-T1) |
14:30～15:00 [招待講演] 今西 正幸（Fr-I1） |
| 休憩 | 15:00～15:30 [招待講演] 上杉 謙次郎（Fr-I2） |
| 15:15～15:45 [招待講演] 富永 依里子 (Th-I1) |
15:30～16:00 [招待講演] 久志本 真希（Fr-I3） |
| 15:45～16:15 [招待講演] 石川 史太郎 (Th-I2) |
16:00～16:30 Closing session |
| 16:15～16:45 [招待講演] 市川 修平 (Th-I3) |
|
| 休憩 | |
| 17:00～17:50 [チュートリアル講演] 中村 孝夫 (Th-T2) |
プログラム（PDF）は「こちら」からダウンロードできます。
予稿集（PDF）は「こちら」からダウンロードできます。※参加者のみ閲覧可。メールでお知らせしたPWをご利用ください。