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- 2013 年度
イベント開催のご案内
- [日 時]
- ２０１４年１月２４日（金）１３時００分 ～ １７時００分
- [場 所]
- 九州大学大学院工学研究院 伊都キャンパス・ウエスト２号館９２１号室 （MAP）
- [世話人]
- 田中 悟（九大院工 エネルギー量子工学部門）
- 13:00 ～ 13:05
-
はじめに
田中 悟（九大院工）
- 13:05 ～ 13:35
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グラフェン上窒化物半導体単結晶成長の現状
橋本 明弘 氏（福井大学院工）
- 13:35 ～ 14:05
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準安定原子誘起電子分光法によるSi/6H-SiC(0001)表面構造変化に伴う最表面電子状態抽出
碇 智徳 氏（宇部高専）
- 14:05 ～ 14:55
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グラフェンにおけるプラズモン伝搬のシミュレーション
佐々木 健一 氏（NTT 基礎研）
- 14:55 ～ 15:10
- 休 憩
- 15:10 ～ 15:40
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Cu表面におけるグラフェンの形成過程と面配向依存性
林 賢二郎 氏（AIST/富士通研究所）
- 15:40 ～ 16:10
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グラフェン/BNヘテロ構造の作製と評価
日比野 浩樹 氏（NTT基礎研）
- 16:10 ～ 16:40
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透過型電子顕微鏡によるSiC表面上グラフェンの結晶学的研究
乗松 航 氏（名大院工）
- 16:40 ～ 17:10
-
SiC上のグラフェンナノリボンのバンドギャップ形成
小森 文夫 氏（東大物性研）
- 17:10 ～ 17:30
-
田中研の最近の話題／グラフェンナノリボン，Siインターカレーション
梶原 隆次 ／ 田中 悟（九大院工）
[ 九大応力研 共同利用研究集会 ]
