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- 2015 年度
イベント開催のご案内
- [日 時]
- ２０１５年１１月１３日（金） １５時００分 ～ １６時００分
（Date:15:00-16:00, Nov.13, 2015） - [場 所]
- 応用力学研究所 Ｗ６０１号室
（Place:room-W601, RIAM） - [題 目]
- Electronic properties of GaN doped with arsenic via MOCVD
- [講演者]
- Dr. Louis J. Guido（ECE and MSE Departments, Virginia Tech）
- [共 催]
- 応用力学研究所 全国共同利用研究集会（国際化推進）
- [お問い合わせ]
- 応用力学研究所 新エネルギー力学部門
寒川 義裕（kangawa@riam.kyushu-u.ac.jp）
[ 講演会 ]
各 位
下記内容にて講演会を開催いたします。皆様、奮ってご参加下さい。
