イベント
- Home
- 研究活動
- イベント
- 2015 年度
イベント開催のご案内
- [日 時]
- 2016年1月29日(金) 13時00分 ~ 17時00分
- [場 所]
- 九州大学 伊都キャンパス West 4号館 8F セミナー室2 (MAP 22)
- [主 催]
- 九州大学応用力学研究所
- 13:00 ~ 13:05
-
はじめに
田中 悟(九大院工)
- 13:05 ~ 13:30
-
負の熱膨張を利用したバッファー層の急冷処理によるグラフェン化
乗松 航 助教(名古屋大院工)
- 13:30 ~ 13:55
-
基板上グラフェンへの吸着とインターカレーション
日比野 浩樹 教授(関西学院大)
- 13:55 ~ 14:20
-
金属表面上のSiやGeおよびグラフェン吸着構造のLEEDによる解析
水野 清義 教授(九大院総理工)
- 14:20 ~ 14:40
- 休 憩
- 14:40 ~ 15:05
-
強制振動子法によるSub2次元グラフェン・ナノ構造の格子振動解析
橋本 明弘 教授(福井大院工)
- 15:05 ~ 15:30
-
SiC巨大ファセット上のグラフェンの電子状態
小森 文夫 教授(東大物性研)
- 15:30 ~ 15:55
-
最近の話題:サブ2次元ナノカーボンとSiC非極性面上のグラフェン形成
田中 悟 教授(九大院工)
- 15:55 ~ 16:10
- 休 憩
- 16:10 ~ 16:35
-
Si基板上3C-SiCヘテロエピ成長とエピタキシャルグラフェン
末光 真希 教授(東北大通信研)
- 16:35 ~ 17:00
-
二次元半導体の欠陥と成長の理論検討
影島 愽之 教授(島根大学院工)
[ 九大応力研 共同利用研究集会 ]
第8回九大グラフェン研究会「原子層物質の成長と物性」
プログラム
研究会に関するお尋ねは,エネルギー量子工学部門 田中 まで
(伊都 内線3535, stanaka@nucl.kyushu-u.ac.jp)