国立大学法人九州大学 応用力学研究所

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イベント開催のご案内

[ 九大応力研 共同利用研究集会 ]

第8回九大グラフェン研究会「原子層物質の成長と物性」

 
[日 時]
2016年1月29日(金) 13時00分 ~ 17時00分
[場 所]
九州大学 伊都キャンパス West 4号館 8F セミナー室2 (MAP 22
 
[主 催]
九州大学応用力学研究所
 
プログラム
13:00 ~ 13:05
はじめに
田中 悟(九大院工)
13:05 ~ 13:30
負の熱膨張を利用したバッファー層の急冷処理によるグラフェン化
乗松 航 助教(名古屋大院工)
13:30 ~ 13:55
基板上グラフェンへの吸着とインターカレーション
日比野 浩樹 教授(関西学院大)
13:55 ~ 14:20
金属表面上のSiやGeおよびグラフェン吸着構造のLEEDによる解析
水野 清義 教授(九大院総理工)
14:20 ~ 14:40
休 憩
14:40 ~ 15:05
強制振動子法によるSub2次元グラフェン・ナノ構造の格子振動解析
橋本 明弘 教授(福井大院工)
15:05 ~ 15:30
SiC巨大ファセット上のグラフェンの電子状態
小森 文夫 教授(東大物性研)
15:30 ~ 15:55
最近の話題:サブ2次元ナノカーボンとSiC非極性面上のグラフェン形成
田中 悟 教授(九大院工)
15:55 ~ 16:10
休 憩
16:10 ~ 16:35
Si基板上3C-SiCヘテロエピ成長とエピタキシャルグラフェン
末光 真希 教授(東北大通信研)
16:35 ~ 17:00
二次元半導体の欠陥と成長の理論検討
影島 愽之 教授(島根大学院工)
 
研究会に関するお尋ねは,エネルギー量子工学部門 田中 まで
(伊都 内線3535, stanaka@nucl.kyushu-u.ac.jp)
 
 

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