イベント
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- 2018 年度
イベント開催のご案内
- 13:00 ～ 13:10
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研究会について
田中 悟（九大院工）
- 13:10 ～ 13:30
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窒化物半導体成長モデリングの進展：不純物混入機構の考察
寒川 義裕（九大応力研）
- 13:30 ～ 13:50
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GaN/AlN 極薄量子井戸構造の光学特性
船戸 充（京大院工）
- 13:50 ～ 14:10
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電界放出低速電子回折装置の開発
水野 清義（九大院総理工）
- 14:10 ～ 14:30
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層状超伝導体原子層膜を用いた渦糸量子状態操作
神田 晶申（筑波大院数理物質）
- 14:30 ～ 14:50
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MIES による異種原子吸着した SiC 再構成表面上の電子状態観測
碇 智徳（宇部高専）
- 14:50 ～ 15:10
- 休 憩
- 15:10 ～ 15:30
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金属/グラフェン/SiC 界面の電気特性とその制御
藤井 氏（富士電機）
- 15:30 ～ 15:50
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SiC 上エピタキシャル炭化物からのグラフェン成長
乗松 航（名古屋大院工）
- 15:50 ～ 16:10
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Synthesis of AB-Stacked Bilayer Graphene on Cu-Ni Films
Pablo Solís-Fernández 氏（九大 GIC）
- 16:10 ～ 16:30
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層状物質で覆われた Cu 表面でのグラフェン成長素過程の理論検討
影島 愽之（島根大院工）
- 16:30 ～ 16:50
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グラフェン直接転写によるモアレ系積層グラフェンの形成
田中 悟（九大院工）
- 16:50 ～ 17:10
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ツイスト 2 層グラフェンの電子状態
小森 文夫（東大物性研）
- 17:10 ～ 20:00
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総合討論
[ 九大応力研 共同利用研究集会 ]
第11回 九大2D物質研究会「2D物質の形成と構造・物性評価」
| 日 時 | 2019 年 2 月 22 日（金） 13 時 00 分 ～ 20 時 00 分 |
|---|---|
| 場 所 | 九州大学西新プラザ 大会議室Ａ（福岡市早良区西新 2-16-23） * アクセス案内はこちら |
| 主 催 | 応用力学研究所 |
| 共 催 | 日本表面真空学会九州支部 |
| 所内世話人 | 寒川 義裕（新エネルギー力学部門 新エネルギー材料工学分野） |
プログラム
２月２２日（金）
