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草場准教授が 第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会において『研究奨励賞』を受賞しました

2024.06.06

草場彰准教授(新エネルギー力学部門)が、2024年5月30日から6月1日に開催された第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会において、『 研究奨励賞 』を受賞しました。


受賞対象論文
データ駆動イジング模型による半導体表面再構成の研究
草場 彰

 

詳しくはこちらをご覧ください。
(日本結晶成長学会 / ナノ構造・エピタキシャル成長分科会, 2024.5/30~6/1)

 


 

 

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